第三代半導體材料行業背景

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料的應用，是各國爭相發展的重點領域。第三代寬禁帶半導體材料獨有的高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特性，不僅能夠滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等最新需求，還可以降低50%以上的能量損失，最高可使裝備體積減小近75%，在半導體材料領域具有里程碑意義。

隨著寬禁帶技術的進步，材料工藝與器件工藝的逐步成熟，在一些高端應用領域，正在逐步取代第一代、第二代半導體材料，建立了襯底、外延、器件以及應用等完整的產業鏈。除了美國、歐洲、日本等高科技企業在技術上的強力推進，國內也有數十家科技企業投入大量資金布局第三代半導體業務。在大規模商用上，較高的技術門檻和成本依然是第三代寬禁帶半導體發展的瓶頸。

當前整個電源產業正發生著深刻的變革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體技術已經在眾多行業中得到了廣泛的應用，也給電源的開發測試工作帶來了眾多的挑戰。

泰克科技始終密切跟蹤最新技術的進展，通過和業內領軍企業的密切合作來開發針對性的測試方案。基于其性能一枝獨秀的光隔離探頭以及示波器等產品，泰克為廣大電源工程師們提供卓越的完整測試解決方案。

碳化硅的應用及優勢

應用領域：

●新能源汽車驅動

●光伏及風能逆變器

●PCS雙向變流器

●UPS

●服務器電源

●航空電源

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技術優勢：

●整體效率：有效提升2-5%

●體積：可以縮小25-50%

●重量：可以減少20-50%

●更好的抗高溫高壓能力

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研發測試難點及泰克提供的解決方案

研發過程中的測試難點：

●  傳統測試工具，測試結果會讓研發人員困擾，無法判斷真實的信號波形是因測試問題導致，還是器件或系統本身的問題。

●  GaN 應用于PD快充，OBC，上管Vgs無法測試，不測試會導致燒板子，炸管，產品有安全隱患。

●  SiC多用于新能源逆變器、軌道交通、電驅動等大功率器件的應用，半橋及全橋電路上管無法準確測量，不測試會導致燒板子，炸管，產品有安全隱患，會導致犧牲SiC的優異性能來保證產品安全要求。

泰克提供的解決方案：

泰克推出第二代IsoVu隔離示波器探頭

推動第三代半導體發展，為電源行業帶來技術革新

新的Tektronix IsoVu? Generation 2探頭提供了無與倫比的帶寬、動態范圍、共模抑制以及多功能MMCX連接器的組合，為上管Vgs測量設置了新的標準，設計者終于能看到以前隱藏的信號特征。

●  1 GHz 光隔離探頭

●  更小的尺寸提升了DUT連接的便攜性

●  行業領先的的CMRR特性

●  完全光隔離技術

方案優勢

●應對SiC高頻挑戰

提供高達1GHz帶寬測試能力，相比較傳統的測試系統性能提升5倍。

●應對更高精度挑戰

高精度測試系統，可以準確測試Vgs、Vds 的開關波形上升沿及下降沿細節，比8Bit系統分辨率提升16倍。

●應對高共模電壓挑戰

高達120dB的共模抑制比TIVP光隔離探頭，共模抑制比性能比傳統差分探頭提升了1000倍。

●應對干擾挑戰

光隔離探頭將信號和測試的電氣隔離，最大程度降低信號端噪聲對測試結果的影響，并全程光纖傳輸信號。

●應對信號連接挑戰

采用MMCX及專用方形接口方式，最大程度降低線纜長度引起的震蕩，并降低環境噪聲引入。