大連理工大學黃輝教授團隊研發了無漏電流“納米線橋接生長技術”，解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩定性問題，制備出高可靠性（8個月電阻變化率<0.8%）、低功耗（可室溫工作）及高靈敏度（NO2檢測限0.5ppb）的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等，實驗結果發表在國際納米領域頂級期刊“Nano Letters” 。

現階段，半導體集成電路芯片發展迅速，推動了物聯網和人工智能產業的興起。如果把集成電路比作人腦，傳感器就相當于人類的感覺器官，兩者是相互依存的。然而，傳感器（尤其是可集成的微納傳感器）的發展程度，遠遠滯后于IC的發展水平。因此，微納傳感器（或傳感芯片）將是繼IC產業之后的另一重大產業。

黃輝團隊，首次研究了納米線橋接生長中的寄生沉積效應，發明了一種結合氣流遮擋效應與表面鈍化效應的橋接生長方法，解決了寄生沉積問題；并首次實現了“無漏電流”的GaN橋接納米線，在此基礎上研制出高穩定性、低功耗以及高靈敏度的集成納米線氣體傳感器。特別是，GaN材料是第三代半導體，具有優異的穩定性（耐高溫、抗氧化、耐酸堿腐蝕）和生物兼容性，適用于嚴酷環境下的應力應變以及液體和氣體樣品的檢測（實驗證明氫氟酸腐蝕48小時未對GaN納米線產生影響），應用領域非常廣泛。這項技術推動了傳感器芯片的發展。