近期，電子科技大學陳超副研究員和王軍教授及其團隊在Advanced Optical Materials期刊上發(fā)表了題為“High-Performance Visible to Near-Infrared Broadband Bi2O2Se Nanoribbon Photodetectors”的最新論文，文中構建了Au/Bi2O2Se Nanoribbon/Au結構，實現了快速響應和低噪聲的寬光譜光電探測器，本研究為高性能可見光-近紅外（VIS-NIR）光電探測器的應用提供了新的契機。

圖1 基于Bi2O2Se納米帶的光電探測器的光電性能（波長650nm）

低維硒氧鉍（Bi2O2Se）由于其合適的電子帶隙 (≈0.8eV）、高載流子遷移率（300K時≈450cm2V?1s?1）、良好的空氣穩(wěn)定性和環(huán)境無毒性，使其成為可見光–近紅外光電探測的理想選擇。然而，其高載流子濃度導致基于Bi2O2Se納米片的探測器存在較大暗電流。為了解決這個問題，此前的研究主要通過柵極電壓調節(jié)和構建異質結構來限制暗電流。但施加極高的柵極電壓增加了器件的功耗，構建異質結構增加了工藝的復雜性。此外，所報道的Bi2O2Se光電探測器在近紅外波段較慢的響應速度（毫秒級），限制了其在高速檢測中的應用。

針對上述問題，研究團隊構建了Au/Bi2O2Se Nanoribbon/Au結構，成功制備了高性能的光電探測器：通過納米帶結構極大地限制器件的暗電流，Au/Bi2O2Se之間的肖特基勢壘極大地提升光響應速度。具體而言，通過化學氣相沉積（CVD）可控制備了不同寬度的Bi2O2Se納米晶體。相比于納米片（寬度W>5μm）結構，納米線（W<1μm）和納米帶（1μm

圖2 基于Bi2O2Se納米帶的光電探測器的響應速度和頻率特性（波長650nm）

圖3 基于Bi2O2Se納米帶的光電探測器在寬光譜范圍內的光電響應

論文第一作者為電子科技大學碩士生魏于超，通訊作者為其導師陳超副研究員和王軍教授，此研究得到了國家自然科學基金項目（61922022, 61875031, 62104026）支持。

論文信息：

https://doi.org/10.1002/adom.202201396