半導體芯片是電子產品的核心，新能源汽車、5G等產業的技術突破不斷帶來新應用場景，半導體需求不斷增長，上游半導體材料需求也持續增加，國際半導體產業協會（SEMI）在最新《半導體材料市場報告》[1]中指出：

2022年全球半導體材料市場年增長率為8.9%，營收達727億美元

?     超越2021年創下668億美元的市場最高紀錄

?     2022年晶圓制造材料和封裝材料營收分別達到447億美元和280億美元，成長10.5%和6.3%

?     硅晶圓、電子氣體和光罩等領域在晶圓制造材料市場中成長表現最為穩健

[1] https://www.c114.com.cn/market/39/a1234847.html

行業分析指出，先進制程的制造需求和新興應用場景對更高性能的要求，半導體材料產業將進一步投入相關技術研發，在改善現有材料工藝以提升純度等參數，幾個關鍵工藝，需要特別關注。

單晶硅制備-精準控溫

制備單晶硅的方法有直拉法（ CZ 法）、區熔法（ FZ 法）等，高純度、性能優良的單晶硅棒的制備，需要準確控制工藝溫度參數，從而準確掌握晶體生長過程中的加熱情況。

實際應用中，針對單晶生長爐，需要通過小尺寸的窗口對其真空腔室內部的加熱器和坩堝進行精準測溫。

解決方案

MI31001M 高溫計

?     紅外測溫1μm 的波長，傳感器能夠透過石英窗測量加熱器以及坩堝的溫度，讀數不受熱源輻射影響；

?     使用定制光學器件，可以良好的適應觀察孔尺寸小，內部保溫層開孔尺寸有限制的客觀要求。

晶片拋光-精準測溫

加工芯片前，需對芯片進行拋光，在此過程中，晶片必須保持在較低的溫度，避免過熱和變形，晶片的尺寸越大，晶片的平整度要求越高，而且大尺寸的晶片原料價值高，更要避免高溫導致拋光過程中晶片報廢的情況。

解決方案

Thermalert®4.0 LT 測溫儀

?     8-14μm 的波長，通過準確測量晶片表面液體的溫度，從而測量晶片溫度；

?     連續監測拋光液的溫度，從而保證晶片處于合適溫度。

化學氣相沉積法(CVD)-精準測溫

薄膜沉積的化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸汽，以合理的氣流引入工藝腔室，在襯底表面發生化學反應并在襯底表面上沉積薄膜。該工藝制備的薄膜具有很好的化學配比，針孔數量少，具有應力控制能力，但對工藝參數，如溫度、壓強、流場等的變化較為敏感，因此需要精準測量該工藝中基材的溫度。