一、測試需求
隨著智能電網、汽車電氣化等應用領域的發展，功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發展，功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導體新一代中的典型產品。
在半導體功率器件行業突飛猛進的同時，對應的測試行業也得到了飛速的發展。這對于設計工程師來說卻帶來了非常大的測試挑戰,如何保證選用的高速功率器件能穩定可靠的運行在自己的電源產品中,我們需要了解功率器件的動態特性：
二、測試平臺搭建
泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖,雙脈沖及多脈沖測試方案,集成強大的發生裝置數據測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件,測試項目包含:
系統測試圖
三、測試說明
采用雙脈沖法,用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數為2次,示波器采用單次觸發。
采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN TM的動態參數。左下的測試提示Ic off是因為英飛凌的CoolGaN“完全沒有反向恢復電流,從測試數據中可以看到基于英飛凌的CoolGaN TM專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN TM IGO60R070D1速度還是非常快的。
四、方案配置
推薦解決方案：
泰克示波器MS054+ 5-wins +5-PWR+ TIVM02+TIVH08 +TCP0030A+IGBT town軟件
五、方案優勢
可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET (包括第三代半導體器件SiC、GaN )功率半導體動態特征。
測量的特征包括開啟、關閉、開關切換、反向恢復、柵極驅動,開關損耗等參數。
適用于用戶對測試環境的自定義。
全部使用泰克示波器及原廠電源探頭,可準確補償探頭的延遲,專用的開關損耗算法,提供可靠的測試結果。
獨特的ISOvU探頭,最高800MHz帶寬高達120dB共模抑制比,準確測試驅動信號的真實情況。
