半導(dǎo)體業(yè)正在逐漸變換到納米制造工藝。納米技術(shù)帶來巨大的好處：幾乎可以自由地增加晶體管數(shù)。另一方面，CMOS工藝已發(fā)生顯著地變化，因此，納米SOC出現(xiàn)新型的制造缺陷。第一個(gè)問題是在高頻時(shí)會(huì)增加定時(shí)失效數(shù)。其他問題還包括串?dāng)_、時(shí)鐘歪斜和同步、高速I/O參量失效，由于其模擬特性，它們對(duì)來自相鄰數(shù)字芯核的注入噪聲特別敏感。
為了解決相關(guān)的質(zhì)量和測(cè)試成本問題，正在研究新的測(cè)試設(shè)計(jì)（DFT）技術(shù)和其他測(cè)試方法。特別是AC掃描和內(nèi)裝自測(cè)試（BIST）/環(huán)回技術(shù)，正在日益用于改善器件高速部分與定時(shí)有關(guān)的失效。

這些增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試開發(fā)，最后是否需要千兆赫數(shù)據(jù)率高速自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）？高速ATE系統(tǒng)中的高速功能和參量測(cè)試將來技術(shù)上是否繼續(xù)需要？經(jīng)濟(jì)上是否合理等問題會(huì)隨之而產(chǎn)生。
       納米制造缺陷及后果

改變?nèi)毕萏匦缘囊粋€(gè)例證是大量增加與定時(shí)有關(guān)的故障。這往往在高頻導(dǎo)致故障，如固定性故障。與DC故障比較，相關(guān)的定時(shí)問題只能通過高速測(cè)試來檢測(cè)。
隨著器件尺寸的減小，晶體管關(guān)鍵參量（如柵氧化層厚度、閥值電壓，有效晶體管長(zhǎng)度，漏電流）隨之增大靜態(tài)變率。這都會(huì)影響定時(shí)。
這在本質(zhì)上會(huì)導(dǎo)致器件寄生參量非理想定標(biāo)和非理想印刷板走線的變率。這些因素會(huì)使芯片速度和功耗導(dǎo)致大的變化。

電容串?dāng)_效應(yīng)和RC內(nèi)連延遲會(huì)進(jìn)一步惡化小規(guī)模器件的高速性能。內(nèi)連引起的傳播延遲支配晶體管柵極延遲。這種效應(yīng)會(huì)影響器件性能。
對(duì)于這些復(fù)雜的納米器件，其傳統(tǒng)高速功能測(cè)試是針對(duì)信號(hào)完整性問題（如IR壓降，感性干擾，襯底耦合，電移），這些問題不可能用電流仿真技術(shù)展示。高速測(cè)試也可達(dá)到所需的定時(shí)關(guān)閉。

新納米設(shè)計(jì)的產(chǎn)品直線上升期間，低產(chǎn)出往往是個(gè)問題，因?yàn)槿毕輰?duì)應(yīng)用比從前的技術(shù)有更強(qiáng)的依賴性。需要更全面的測(cè)試來達(dá)到產(chǎn)品器件所需的質(zhì)量水平。與DFT能力一起，高速功能測(cè)試為了解新制造工藝固有的故障機(jī)構(gòu)提供主要的反饋環(huán)路。
       SOC設(shè)計(jì)中的同步問題

系統(tǒng)寬時(shí)鐘同步是大量納米設(shè)計(jì)的主要問題之一。當(dāng)高速設(shè)計(jì)的最小時(shí)鐘周期減小時(shí)，裸片尺寸仍保持大的，這是因?yàn)楦嘣稍谕宦闫稀Ｒ虼耍c內(nèi)連延遲大約成正比的有關(guān)時(shí)鐘歪斜變成時(shí)鐘周期的重要部分，而同步設(shè)計(jì)中的跨芯片通信需要一個(gè)時(shí)鐘周期以上時(shí)間。

采用復(fù)雜的時(shí)鐘去歪斜技術(shù)來解決這些問題。在大量的設(shè)計(jì)中，新的方法，如整體異步局部同步（GALS）結(jié)構(gòu)正在替代通常的定時(shí)方法。然而，在SOC設(shè)計(jì)中不同域之間的數(shù)據(jù)傳輸仍然必須重新同步。高速功能測(cè)試可解決這類同步問題，但其他高速方法（如AC掃描）不能解決這類同步問題。
       高速I/O測(cè)試問題

現(xiàn)在，高性能SOC設(shè)計(jì)包含大量不同的高速I/O總線和協(xié)議。可以看到不同信號(hào)傳輸類型的廣泛混合，從同步雙向到單向信號(hào)傳輸和單端到低壓差分信號(hào)傳輸。具有分離時(shí)鐘信號(hào)的傳統(tǒng)寬、并行、源同步總線結(jié)構(gòu)正在被窄、串行、嵌入式時(shí)鐘技術(shù)替代。在器件的接收器口用具有時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)（CDR）單元的串行器/解串器（SerDes）從輸入數(shù)據(jù)流中提取時(shí)鐘信號(hào)。 

                      圖1 具有存儲(chǔ)器橋（北橋）和I/O橋（南橋）的Intel基PC芯片組結(jié)構(gòu)

PC芯片組器件是混合I/O類型的例證（圖1）。例如，PCIExpress和S-ATA都用具有單向低擺幅差分信號(hào)傳輸?shù)那度胧綍r(shí)鐘技術(shù)。PCI Express可包含運(yùn)行在2.5Gb/s數(shù)據(jù)率下的32個(gè)通道，而S-ATA在1.5Gb/s或3Gb/s只支持一個(gè)通道。

相反，DDR存儲(chǔ)接口和Intel的前端總線（FSB）結(jié)構(gòu)現(xiàn)在采用單端、雙向、源同步技術(shù)。現(xiàn)在FSB的800Mb/s數(shù)據(jù)率可望很快增大到1066Mb/s,甚至可達(dá)到1.6Gb/s。

為了適應(yīng)這種硬件變化和不定的行業(yè)定時(shí)，需要有靈活的測(cè)試設(shè)備。需要幾百高速引腳，但是，多時(shí)鐘域也工作在不固定的速率，因?yàn)椴煌慕涌诒仨毻瑫r(shí)測(cè)試。

SerDes宏單元大量集成到消費(fèi)類SOC器件中，這會(huì)帶來與I/O有關(guān)的復(fù)雜測(cè)試問題，例如，與抖動(dòng)有關(guān)的廣延參數(shù)測(cè)試。對(duì)于高集成SOC器件，這些測(cè)試似乎是更重要的，因?yàn)樗鼈兇罅康男竞丝赡軐?duì)有效的關(guān)閉芯片數(shù)據(jù)傳輸有負(fù)面沖擊。

高集成數(shù)字ATE通道比傳統(tǒng)機(jī)架或混合信號(hào)儀器更適合于參量測(cè)試。需要幾千兆赫的輸入模擬帶寬、低的固有系統(tǒng)抖動(dòng)和高定時(shí)精度。因?yàn)樗轻槍?duì)所有這些測(cè)試問題，所以，高速功能測(cè)試對(duì)于芯片正確邏輯和電氣性能的驗(yàn)證仍將是主要工具。這是高速器件調(diào)試和特性鑒定期間兩個(gè)主要的任務(wù)。
       全速度功能測(cè)試和全速度DFT共存

隨著測(cè)試成本的繼續(xù)降低，裸片上測(cè)試能力資源的廣泛開發(fā)和應(yīng)用不斷向前推進(jìn)。為了檢驗(yàn)相關(guān)定時(shí)間題，日益采用傳輸故障的全速度結(jié)構(gòu)測(cè)試、關(guān)鍵通路的通路延遲測(cè)試和BIST/環(huán)回技術(shù)。

結(jié)構(gòu)全速度方法的一個(gè)例子是AC掃描，而EDA工具中對(duì)AC掃描的支持不斷改進(jìn)。然而，AC掃描測(cè)試期間的開關(guān)動(dòng)作與功能測(cè)試是完全不同的，正是由于此原因，這不可以模擬真實(shí)的應(yīng)用條件。因此，這樣的方法需要的實(shí)際功能測(cè)試的廣延相關(guān)性。甚至有良好的相關(guān)性，仍然會(huì)有其他可能的問題，導(dǎo)致成品率損失增加或測(cè)試漏失。

不精確的延遲測(cè)試可能是成品率損失和測(cè)試漏失的另一個(gè)原因。只有幾十皮秒的延遲通路測(cè)量誤差相當(dāng)于內(nèi)部時(shí)鐘周期的5%。至今不知道對(duì)延遲通路測(cè)量加容限測(cè)試的方法，所以，這些誤差可導(dǎo)致成品率損失或測(cè)試漏失。

把片上BIST結(jié)構(gòu)與串行環(huán)回方法相結(jié)合是全速度產(chǎn)品測(cè)試的另一種流行技術(shù)，特別是對(duì)于SerDes I/O單元的測(cè)試。用專門的ATE環(huán)回卡（如Agilent93000 BIST Assist6.4）可增強(qiáng)測(cè)試范圍，除基本功能測(cè)試外也支持參量測(cè)量（圖2）。

                                         圖2 BIST環(huán)回測(cè)試方法與專用ATE環(huán)回卡結(jié)合

盡管DFT或其他低成本技術(shù)對(duì)于高速器件的很多高頻I/O特性是最經(jīng)濟(jì)的測(cè)試方案，但仍然對(duì)ATE有較強(qiáng)的要求，希望它能提供全速度激勵(lì)和捕獲，特別是在產(chǎn)品定型前更是這樣。當(dāng)DFT完全取代全速度功能測(cè)試時(shí)，可達(dá)到的故障覆蓋率趨于折衷。這可能是一種潛在的風(fēng)險(xiǎn)，特別是對(duì)于把工藝技術(shù)推至極限的新I/O技術(shù)而言。

另外，DFT仍然是一種成熟的技術(shù)，而不同的硅供應(yīng)商遵循不同的DFT開發(fā)戰(zhàn)略。基于此原因，全速度DFT不是一貫的跨業(yè)界實(shí)現(xiàn)。甚至在生產(chǎn)中，在可預(yù)測(cè)的將來，整個(gè)業(yè)界將不希望用全速度DFT完全替代全速度功能測(cè)試。
       高速ATE通道的關(guān)鍵要求

對(duì)于設(shè)計(jì)特征，ATE高速驅(qū)動(dòng)和捕獲能力必須配合高定時(shí)的精度。同等重要的是，必須提供的ATE功能是經(jīng)濟(jì)的，因?yàn)榘雽?dǎo)體廠家面對(duì)巨大的成本壓力。
高速ATE要求如下：
·高度靈活性：其能力包括各種不同的I/O類型。
·完全可量測(cè)性：其能力包括所需速度的整個(gè)范圍和所需的引腳資源。數(shù)據(jù)率范圍從幾百兆赫到幾千兆赫，所需引腳數(shù)高達(dá)2000引腳。
·高性能：高精度和快速吞吐量。
·多時(shí)鐘域支持。
·負(fù)擔(dān)得起的成本。
       結(jié)語(yǔ)
      不管現(xiàn)在的進(jìn)展如何，全速度結(jié)構(gòu)和BIST基環(huán)回測(cè)試不大可能解決與納米制造缺陷相關(guān)定時(shí)的所有問題。隨著大多數(shù)產(chǎn)品壽命周期變得越來越短，而檢驗(yàn)和最佳化DFT電路達(dá)到必須的水平變得更加困難。

很多情況下，DFT基技術(shù)將與有限數(shù)的功能全速度圖形共存，這可填充僅DFT技術(shù)的漏失測(cè)試范圍。因此，可提供高速、高密度和高度通用的ATE將仍然是獲得成功半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵。