晶閘管又叫可控硅，是一種在晶體管基礎上發展起來的大功率半導體器件，主要并廣泛應用于整流、逆變、調壓及開關等方面，因此，對可控硅性能進行檢測，對于電控系統的日常維護、保證正常運轉具有十分重要的意義。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成，即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
如何判別單、雙向可控硅？
先任測兩個極，若正、反測指針均不動（萬用表選電阻R*1Ω擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
可控硅檢測方案分析
電控系統長時間運行后，電發動機會出現跳閘等故障。基于此，對可控硅性能好壞進行檢測，對于系統的日常維護、保證正常運轉具有十分重要的意義。
通常對電氣設備的檢測設備及方法有萬用表、漏電儀、搖表，另外，還可以利用示波器觀測導通電流以判斷可控硅導通情況。在實際生產中，僅采用萬用表無法判斷可控硅的故障。下面對幾種檢測方法進行對比，以得出可控硅檢測的最佳方法。
1.漏電儀檢測法（耐壓試驗）
采用大電流發生器（簡稱升流器）對可控硅A、K兩極之間進行漏電試驗。先測試出可控硅的峰值電壓，將電線正負極連接至A、K兩極，接地線接至室內主接地上，逐漸升壓，測試其漏電流數值。
進行漏電測試后，逐漸升壓，觀測漏電流，當數值超過其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會破壞其PN結，并且只能測試其是否導通，而不能測試其導通是否良好，故不再采用此法進行測試。
2.搖表測試法
用搖表對可控硅進行測量，參照之前使用的漏電檢測法。為防止搖表法測試過程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對搖表電壓和轉速進行控制，兩筆端鏈接A、K極對其進行測試。若可控硅使用后電控系統運轉正常則為性能正常，若系統運行幾分鐘后出現電機聲音異常則為性能差。
3.示波器在線觀測法
利用示波器在線觀測可控硅觸發脈沖，由于示波器在線觀測波形時，產生的電磁干擾會影響到觸發脈沖，極有可能造成跳車，所以，采用雙通道屏蔽的手持式示波器，避免電磁干擾。
在運行過程中，將示波器的筆連接至觸發電流板上某個觸發極，觀測其波形，當波形穩定時，對波形進行捕捉，并觀察。若在加速段、減速段行車時，示波器上無波形顯示；若在勻速段，可觀察到觸發脈沖電壓、觸發脈沖電流；若可控硅出現異常情況時，脈沖電壓幅值降低，脈沖電流波形不穩定，出現亂波。
4.萬用電表檢測法
4.1 單向可控硅的檢測
萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
4.2 雙向可控硅的檢測
用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。
總結：利用萬用表、漏電儀、搖表、示波器均能夠對可控硅性能進行檢測，但在實際使用過程中，由于各自的缺點和不足，如果僅使用某一方法進行檢測，無法達到理想效果。應根據實際情況，采取提前檢測與在線檢測相結合的方法，方可準確地查出存在問題導致換流能力差的可控硅，從而避免了在使用過程中出現異常情況，極大地減小了事故。
